企业简介
江苏捷捷微电子股份有限公司前身是启东市捷捷微电子有限公司，自1995年开始从事半导体分立器件的专业生产，是国内早生产方片式单双向可控硅的厂家，也是国内单双向可控硅品种齐全的专业生产厂家之一，为单、双向可控硅的国产化事业做出了贡献。2011年8月公司经整体改制设立为股份公司。 公司拥有二条半导体器件生产线： 1.φ4英寸功率半导体器件芯片生产线； 2.功率器件封装和测试生产线，器件封装形式：TO-92、SOT-23-3L、SOT-223、 DPAK、iPAK、D2 PAK、TO-220AB、TO-220F、TO-220AB insulated、TO-220CH、TO-247、TO-247 Super、TO-P3ins。 主导产品： 1、（0.6～110）A/600-1600V双向可控硅（TRIACs）； 2、（0.8～250）A/600-2000V单向可控硅（SCRs）； 3、低结电容放电管等各类保护器件； 4、高压整流二极管； 5、功率型开关晶体管。 公司现有注册资本7000万元，从业人员350余人。具有自主开发能力和自主知识产权，具有同国外同类产品相抗衡的产品结构特点和独特工艺技术。 公司于2005年通过ISO-9001质量体系认证， 14001环境认证，产品符合UL电气绝缘性要求，ROHS环保要求，REACH化学品注册、评估、许可和限制要求，无卤化要求等，为江苏省高新技术企业。 公司宗旨：求实创新，满足客户，追求更高。
江苏捷捷微电子股份有限公司的工商信息
- 320681000081558
- 913206001383726757
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(上市)
- 1995年03月29日
- 黄善兵
- 9360.000000
- 1995年03月29日 至 永久
- 南通市工商行政管理局
- 2017年11月22日
- 江苏省启东科技创业园兴龙路8号
- 半导体分立器件、电力电子元器件的制造、销售；经营本企业自产品及技术的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料及技术的进口业务（国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
江苏捷捷微电子股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | http://www.jiejie-cn.com/ |
江苏捷捷微电子股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 15786666 |  |
JIEJIE | 印刷电路;集成电路;半导体;芯片（集成电路）;传感器;晶体管（电子）;发光二极管（LED）;三极管;半导体器件;非照明用放电管; | 查看详情 | |
| 2 | 12121137 |  |
捷捷微电 JIEJIE MICROEL ECTRONICS | 2013-01-29 | 集成电路用晶片；印刷电路；集成电路；芯片(集成电路)；半导体；非照明用放电管；晶体管(电子)；半导体器件；继电器(电)；整流器 | 查看详情 |
| 3 | 12121080 |  |
捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS | 2013-01-29 | 集成电路用晶片；印刷电路；集成电路；芯片(集成电路)；半导体；非照明用放电管；晶体管(电子)；半导体器件；继电器(电)；整流器 | 查看详情 |
| 4 | 9645440 |  |
捷捷 | 2011-06-27 | 晶片(锗片)；印刷电路；集成电路；集成电路块；光电管；非照明用放电管；晶体管(电子)；半导体器件；整流器；继电器(电的) | 查看详情 |
| 5 | 5146082 |  |
捷捷 | 2006-01-28 | 半导体器件；半导体分立器件；半导体晶园片 | 查看详情 |
| 6 | 9645446 |  |
JJM | 2011-06-27 | 晶片(锗片)；印刷电路；集成电路；集成电路块；光电管；非照明用放电管；晶体管(电子)；半导体器件；整流器；继电器(电的) | 查看详情 |
江苏捷捷微电子股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205621743U | 一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管 | 2016.10.05 | 本实用新型涉及一种半导体芯片技术领域，公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特 |
| 2 | CN205428935U | 单一负信号触发的双向晶闸管芯片 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极 |
| 3 | CN205428940U | 一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片，它包括N<sup>﹣</sup>型硅单晶片 |
| 4 | CN103296076B | 平面晶闸管、用于制造平面晶闸管的芯片及制作方法 | 2016.12.28 | 本发明涉及一种平面晶闸管，用于制造该平面晶闸管的芯片及其制作方法，晶闸管包含外壳、芯片、框架三部分， |
| 5 | CN105489657B | 一种单向低压TVS器件及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种单向低压TVS器件，包括N型硅片，N型硅片中设有P<sub>1</sub>掺杂区和P |
| 6 | CN105679817B | 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N |
| 7 | CN103280453B | 用金属铝膜实现对通隔离扩散的晶闸管芯片及其制作方法 | 2017.02.08 | 本发明涉及一种单台面工艺的晶闸管，用于制造该晶闸管的芯片及其制作方法，晶闸管包含外壳、芯片、框架三部 |
| 8 | CN205723543U | 一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片 | 2016.11.23 | 本实用新型公开了一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片，包括阳极区P1、N型长基区、短基区P2、N |
| 9 | CN205428950U | 一种高压整流二极管芯片 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种高压整流二极管芯片，该芯片在P<sup>‑</sup>型阳极区的四周设有钝化沟槽 |
| 10 | CN205428949U | 一种单向低压TVS器件 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种单向低压TVS器件，包括N型硅片，N型硅片中设有P<sub>1</sub>掺杂区 |
| 11 | CN205428904U | 一种大功率可控硅封装结构 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种大功率可控硅封装结构，它包括金属散热底板和底面焊接在金属散热底板上端的陶瓷覆铜板 |
| 12 | CN205428939U | 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕 |
| 13 | CN205428933U | 一种P<sup>+</sup>深结区位于短路孔内的半导体放电管芯片 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种P<sup>+</sup>深结区位于短路孔内的半导体放电管芯片，包括N型衬底、设 |
| 14 | CN205428951U | 一种V<sub>R</sub>大于2600V的方片式玻璃钝化二极管芯片 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了一种V<sub>R</sub>大于2600V的方片式玻璃钝化二极管芯片，包括N型衬底 |
| 15 | CN205376496U | 一种汽车用二极管器件 | 2016.07.06 | 本实用新型涉及一种汽车用二极管器件，包括依次设置的引线框架、二极管芯片及内连接片，引线框架包括引线框 |
| 16 | CN105720110A | 一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管及制备方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO<sub>2</ |
| 17 | CN105679817A | 一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片及其制造方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种门极和阳极共面的单向可控硅芯片，包括阳极电极A、P型阳极扩散区、N型长基区、环绕在N |
| 18 | CN105633041A | 一种大功率可控硅封装结构及其制造方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种大功率可控硅封装结构，它包括金属散热底板和底面焊接在金属散热底板上端的陶瓷覆铜板，陶 |
| 19 | CN105633129A | 一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片及其制备方法，包括阳极区P1、N型长基区、短基区P |
| 20 | CN105633133A | 单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法 | 2016.06.01 | 本发明公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极 |
| 21 | CN105590907A | 一种汽车用二极管器件及其制造方法 | 2016.05.18 | 本发明涉及一种汽车用二极管器件，包括依次设置的引线框架、二极管芯片及内连接片，引线框架包括引线框架引 |
| 22 | CN105552122A | 一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片及其制造方法 | 2016.05.04 | 本发明公开了一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片，它包括N<sup>﹣</sup>型硅单晶片、背 |
| 23 | CN105489657A | 一种单向低压TVS器件及其制造方法 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种单向低压TVS器件，包括N型硅片， N型硅片中设有P<sub>1</sub>掺杂区和 |
| 24 | CN104091823A | 一种瞬态抑制二极管芯片及其制造方法 | 2014.10.08 | 本发明公开了一种瞬态抑制二极管芯片，包含：P型衬底硅片；设置在P型衬底上侧的N<sup>-</sup |
| 25 | CN102284792B | 在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置的使用方法 | 2013.11.13 | 本发明公开了在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置，其特征是：包括激光器、光路传输通道、扩束装置、偏 |
| 26 | CN102244093B | 一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法 | 2013.09.25 | 本发明涉及一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构及方法，其特征在于：包括抑制横向扩散用环形槽、正面对 |
| 27 | CN103296076A | 平面晶闸管、用于制造平面晶闸管的芯片及制作方法 | 2013.09.11 | 本发明涉及一种平面晶闸管，用于制造该平面晶闸管的芯片及其制作方法，晶闸管包含外壳、芯片、框架三部分， |
| 28 | CN103280453A | 用金属铝膜实现对通隔离扩散的晶闸管芯片及其制作方法 | 2013.09.04 | 本发明涉及一种单台面工艺的晶闸管，用于制造该晶闸管的芯片及其制作方法，晶闸管包含外壳、芯片、框架三部 |
| 29 | CN102244079B | 台面工艺功率晶体管芯片结构和实施方法 | 2013.08.21 | 本发明涉及台面工艺功率晶体管芯片结构，包括N+发射区、发射极铝电极、基极铝电极、SiO2保护膜、玻璃 |
| 30 | CN103247521A | 一种在硅片上实施铝扩散的方法及其制造的晶闸管芯片 | 2013.08.14 | 本发明公开一种在硅片上实施铝扩散的方法，包含以下步骤：1、硅片上生长氧化层；2、氧化层上光刻注入窗口 |
| 31 | CN102254879B | 一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅及其封装工艺 | 2013.07.24 | 本发明涉及一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅，包括铜底板和引脚，铜底板上通过铅锡焊料焊接有硅芯 |
| 32 | CN102290353B | 一种可控硅芯片与钼片的烧结模具及其使用方法 | 2013.07.24 | 本发明涉及一种可控硅芯片与钼片的烧结模具，包括烧结模具本体，烧结模具本体上设有多个中间开有便于纵向排 |
| 33 | CN102244078B | 台面工艺可控硅芯片结构和实施方法 | 2013.06.12 | 本发明涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保 |
| 34 | CN102280427B | 一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构及其封装方法 | 2013.01.16 | 本发明涉及一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构及其封装方法，一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构 |
| 35 | CN202205733U | 一种大功率半导体器件 | 2012.04.25 | 本实用新型公开了一种大功率半导体器件，依次包括引线框架、底板、陶瓷片、小底板、半导体芯片，引线框架上 |
| 36 | CN202189790U | 一种单向晶闸管芯片的门极结构 | 2012.04.11 | 本实用新型涉及一种单向晶闸管芯片的门极结构，其特征在于：包括门极G区、阴极K区和钝化沟槽区，所述门极 |
| 37 | CN202174043U | 一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置 | 2012.03.28 | 本实用新型涉及一种高粘度光刻胶无胶丝匀胶装置，包括匀胶腔体底座，所述匀胶腔体底座顶部设有匀胶腔体盖， |
| 38 | CN202167475U | 一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构 | 2012.03.14 | 本实用新型涉及一种金属与塑料混合封装的可控硅封装结构，包括散热底板、可控硅芯片、门极引线片、阳极引线 |
| 39 | CN202167477U | 一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构 | 2012.03.14 | 本实用新型公开了一种提高双台面可控硅产品可靠性的封装结构，包括由上而下依次设置的可控硅芯片、可控硅芯 |
| 40 | CN202167493U | 一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构 | 2012.03.14 | 本实用新型涉及一种降低对通隔离扩散横向扩散宽度的结构，其特征在于：包括抑制横向扩散用环形槽、正面对通 |
| 41 | CN202167494U | 台面工艺可控硅芯片结构 | 2012.03.14 | 本实用新型涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO |
| 42 | CN202167471U | 一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅 | 2012.03.14 | 本实用新型涉及一种大尺寸硅芯片采用塑料实体封装的可控硅，包括铜底板和引脚，铜底板上通过铅锡焊料焊接有 |
| 43 | CN202159649U | 一种可控硅芯片与钼片的烧结模具 | 2012.03.07 | 本实用新型涉及一种可控硅芯片与钼片的烧结模具，包括烧结模具本体，烧结模具本体上设有多个中间开有便于纵 |
| 44 | CN202159668U | 台面工艺功率晶体管芯片结构 | 2012.03.07 | 本实用新型涉及台面工艺功率晶体管芯片结构，包括N+发射区、发射极铝电极、基极铝电极、SiO2保护膜、 |
| 45 | CN102359965A | 一种检测铜丝球焊质量的工艺方法 | 2012.02.22 | 本发明涉及一种检测铜丝球焊质量的工艺方法，将待检硅片铝膜浸入腐蚀液中腐蚀，加热至95℃-120℃，时 |
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